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GH04P21A2GE
制造厂商：夏普半导体（Sharp）
类别封装：激光二极管，模块，波长：406nm
技术参数：LASER DIODE 406NM 105MW TO18
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技术参数详情：
制造商产品型号：GH04P21A2GE制造商：Sharp Microelectronics（夏普半导体）描述：LASER DIODE 406NM 105MW TO18产品系列：激光二极管，模块包装：托盘系列：-零件状态：停产波长：406nm电压-输入：5.4V额定电流（安培）：150mA功率(W)：105mW现在可以订购GH04P21A2GE，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
